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웨이퍼 에피택시: 수 많은 구성 요소의 기초 

MOCVD 레이어 에피 택셜 성장에서 축적된 경험과 엄격한 품질 관리를 신뢰하실 수 있습니다.

웨이퍼 에피택시
다양한 구성 요소의 생산은 웨이퍼 에피택시를 기반으로 합니다. 고객의 설계에 따라, 반도체 레이저 구조를 2 인치, 3 인치, 4 인치 및 6 인치 웨이퍼로 생산합니다. 웨이퍼 생산을 위해 한 번에 8 개 또는 12 개의 웨이퍼 생산할 수 있는 두 개의 리액터를 사용합니다.

에피택셜 성장의 수단으로 이러한 방식으로 코팅된 웨이퍼는 수 많은 장치 및 시스템의 반도체 구성 요소에 사용할 수 있습니다. 표면 발광체 (VCSEL 및 VECSEL), 발광 다이오드(RCLED 및 LED) 또는탐지기로서 현재 760-1060 나노 미터 파장 범위 내의 고전력 다이오드 레이저.

MOCVD/MOVPE 성장 공정은 매우 신뢰할 수 있고 철저하게 모니터됩니다. 이러한 방식으로, 웨이퍼 에피택시에 일관된 고품질을 보장합니다. 이 공정은 ISO 9001:2008 국제 표준에 따라 인증되었습니다.

엔지니어 및 기술자들은 수년 동안 공정을 지속적으로 향상시켰습니다. 따라서 웨이퍼 에피택시는 Jenoptik의 전문 역량 중 하나입니다.

장점

  • 최고 품질: 가장 세심한 주의와 최신 측정 기술로 층 구조의 성장을 모니터링합니다.
  • 추적 가능성: 생산 문서는 최첨단 데이터베이스 시스템에 저장됩니다.
  • 유연성 및 능숙한 기능성: 짧은 개발 주기 덕분에 빠르고 신뢰성 있게 고객의 요청을 수행합니다.
  • 저렴한 비용: 웨이퍼에 대한 고객별 요청에 따른 에피택시를 위한 저렴한 개발 비용.

적용 분야

  • 광전자 공학: 엣지 이미터, 다이오드 레이저, 표면 이미터, LED, VCSEL 및 탐지기 구조용 에피 택셜 구조.

제품 보기

기술 사양

  • 2 인치, 3 인치, 4 인치 및 6 인치 웨이퍼
  • 소재 시스템 Al-In-Ga-As-P의 층 구조
  • ISO 9001:2008 인증

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자세한 정보가 필요하시면 저희에게 연락 주십시오.

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