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고출력 다이오드 레이저용 탁월한 반도체 소재
정밀한 제어 덕분에 레이저 바, 세미 바 및 싱글 에미터는 고객의 최고 품질 표준을 충족시킵니다.
Product feature
- Wavelength: 760 - 1060nm
- Output power: 6 - 500W
- Operation mode: CW / QCW
- Filling factor: - - 75%
- Resonator length: 0.6 - 4.0mm
최고로 엄격한 품질 제어하에서 반도체 소재를 생산하고 있습니다. 우리는 최첨단 에피택시, 처리 및 패싯 코팅 기술로만 작업합니다. 고출력 다이오드 레이저 용 바, 세미-바, 싱글 에미터는 거의 대부분의 정확한 수요를 충족시킵니다. 매우 신뢰할 수 있고, 효율적이며 내구성이 높습니다.
반도체 제품은 표준 솔더링 방법을 사용하여 쉽게 조립됩니다. 소재는 소프트 솔더 (인듐) 및 하드 솔더 (골드/틴) 둘 다 지원합니다. p 측에서 분리된 에미터 구조를 표준으로 사용한 레이저 바가 고객에게 제공됩니다. 요청에 따라, 외부 공진기 어셈블리에 낮은 AR 코팅을 사용한 연속 p 측 금속화 및 패싯 코팅이 적용된 바를 생산할 수도 있습니다.
장점
- 최고 품질: 명확하게 정의된 공정에서 반도체 제품 생산을 엄격하게 모니터합니다.
- 강력함: 높고, 안정적인 출력 전력 및 이상적인 빔 특성.
- 경제성: 당사의 반도체는 매우 효율적이며 장기간의 서비스 수명이 특징입니다.
적용 분야
- 산업: 열처리용 또는 조명용으로, 직접 소재 처리에 사용되는 고출력 다이오드 레이저용 반도체. 파이버 및 고체 레이저용 펌핑 자원으로서 반도체. 인쇄 기술에 사용됩니다.
- 의학: 미용, 피부과 및 수술.
기술 사양
- InGaAs 기반 반도체
- 광학 출력: 8 와트에서 200 와트 cw 및 500 와트 qcw
- 표준 파장: 760 에서 1030 나노미터 (요청에 따라 다른 파장도 가능)
- 충진율: 10%, 20%, 30%, 50%, 75% (요청에 따라 다른 것도 가능)
- 공진기 길이: 0.6 mm, 1.0 mm, 1.5 mm, 2.0 mm, 3.5 mm, 4.0 mm (요청에 따라 다른 것도 가능)
- 옵션: 낮은 AR 코팅 (일반적으로 < 0.3%)
- 옵션: 연속 금속화